Toshiba Memory Corporation เปิดตัวหน่วยความจำแฟลช UFS เวอร์ชัน 3.0 เป็นรายแรกในตลาด

Toshiba Memory Corporation ผู้นำด้านโซลูชันหน่วยความจำระดับโลก ประกาศจัดส่งตัวอย่างผลิตภัณฑ์ที่เป็นรายแรกของอุตสาหกรรมอุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชัน 3.0 ผลิตภัณฑ์กลุ่มใหม่นี้ใช้เทคโนโลยี BiCS FLASH 96 ชั้น แบบ 3D ที่มีความล้ำสมัย ซึ่งเป็นเทคโนโลยีของบริษัทเอง มาในความจุสามขนาด ได้แก่ 128 กิกะไบต์ 256 กิกะไบต์ และ 512 กิกะไบต์และด้วยประสิทธิภาพในการอ่าน/เขียนข้อมูลด้วยความเร็วสูงและไม่กินไฟ ผลิตภัณฑ์รุ่นใหม่นี้จึงเหมาะกับการใช้งานกับอุปกรณ์เคลื่อนที่ สมาร์ทโฟน แท็บเลต และอุปกรณ์ระบบ AR และ VR

Toshiba Memory Corporation: Industry's First UFS Ver. 3.0 Embedded Flash Memory Devices อุปกรณ์หน่วยความจำแฟลชแบบฝัง UFS เวอร์ชัน 3.0 ชิ้นแรกของอุตสาหกรรม

อุปกรณ์ชิ้นใหม่นี้ประกอบด้วยหน่วยความจำแบบ BiCS FLASH 96 ชั้น แบบ 3D และตัวควบคุมในแพ็คเกจขนาด 11.5 x 13.0มม. ตามมาตรฐาน JEDEC ตัวควบคุมมีหน้าที่แก้ไขข้อผิดพลาด ค่าเสื่อมของแบตเตอรี่ แปลที่อยู่ทางตรรกะเป็นที่อยู่ทางกายภาพ และจัดการบล็อคที่ไม่ดีเพื่อการพัฒนาระบบที่ไม่ซับซ้อน

อุปกรณ์ทั้งสามชิ้นสามารถใช้ได้กับ JEDEC UFS เวอร์ชัน 3.0 รวมถึง HS-GEAR4 ซึ่งมีความเร็วอินเตอร์เฟสทางทฤษฎีสูงสุด 11.6 กิกะบิตต่อเลน (2 เลน = 23.2 กิกะบิต) ขณะที่สนับสนุนคุณสมบัติอื่น ๆ ที่ทำให้อุปกรณ์ไม่กินไฟเพิ่มมากขึ้น ประสิทธิภาพในการอ่านและเขียนข้อมูลตามลำดับของอุปกรณ์ที่มีความจุ 512 กิกะไบต์ เพิ่มขึ้นประมาณร้อยละ 70 และร้อยละ 80 ตามลำดับ เมื่อเทียบกับอุปกรณ์ในเจเนอเรชันก่อนหน้า