ฮาร์ดดิส (Hard disk) | วันที่ : 21 ธันวาคม 2560
Samsung เริ่มเดินเครื่องผลิตชิปหน่วยความจำสำรอง 8Gb (กิกะบิต) DDR4 DRAM (Dynamic Random Access Memory) ระดับ 10 นาโนเมตรเจเนอเรชั่นที่สองสำหรับใช้งานบนอุปกรณ์คอมพิวเตอร์ สมาร์ทโฟนและอุปกรณ์สมาร์ทดีไวซ์อื่น ๆ ในอนาคต
DRAM รุ่นใหม่ของ Samsung จะมีความเร็วมากขึ้น 10% และมีประสิทธิภาพมากขึ้น 15% เทียบกับ DRAM รุ่นก่อนหน้า โดยสามารถทำงานได้ที่ความเร็ว 3,600 Mbps (เมกะบิตต่อวินาที) เทียบกับรุ่นก่อนที่ทำได้ 3,200Mbps
Gyoyoung Jin ประธานฝ่ายธุรกิจหน่วยความจำของ Samsung Electronics กล่าวว่า "ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีเชิงนวัตกรรมด้านการออกแบบและประมวลผลในวงจร DRAM เราได้ลบล้างสิ่งที่เป็นข้อจำกัดในการขยายขนาด DRAM"
"การพัฒนา DRAM ระดับ 10 นาโนเมตรในเจเนอเรชั่นที่สองเป็นไปอย่างรวดเร็ว เราจะขยายการผลิต DRAM ระดับ 10 นาโมเมตรให้มากขึ้นเพื่อรองรับความต้องการของตลาดและเพื่อรักษาความสามารถในการแข่งขันทางธุรกิจของเราต่อไป"
ทำนายเบอร์มือถือ เบอร์สวย เบอร์มงคล
รับซื้อมือถือ รับเครื่องถึงบ้าน
บูลอาเมอร์ ฟิล์มกระจกกันรอยมือถือ
ที่มา : news.samsung.com วันที่ : 21 ธันวาคม 2560
Samsung Galaxy C55 หน้าจอ Super AMOLED+ ขุมพลัง Snapdragon 7 Gen 1
พก Galaxy S24 Series ที่มี Galaxy AI เที่ยวคนเดียวไม่ยากอีกต่อไป
Samsung ครองแชมป์จำหน่ายสมาร์ทโฟนมากสุดไตรมาสแรก 2024 ขณะที่ iPhone ยอดขายลดฮวบ ทำไม ?
Samsung LPDDR5X RAM แรงทุบสถิติโลก 10.7Gbps เน้นใช้งานร่วมกับ AI เต็มรูปแบบ
เตรียมเปิดตัว Samsung Galaxy Watch FE สมาร์ทวอทช์ราคาย่อมเยาในปีนี้
Exynos 1480 ชิปเซ็ตระดับกลางตัวใหม่จาก Samsung ประสิทธิภาพแรงขึ้น ประหยัดพลังงาน และรองรับฟีเจอร...
Nothing Ear และ Nothing Ear (a) ประกาศวันเปิดตัว มีการรีเซ็ตชื่อ และมาด้วยกัน 2 รุ่น
HONOR X7b 5G ขยับใช้ชิปเซ็ต Dimensity 6020 จุใจด้วยกล้องระดับ 108MP
เตรียมเปิดตัว Tesla Model 3 Performance (Ludicrous) ซูเปอร์ซีดานไฟฟ้าที่สุดแห่งสมรรถนะ
Lenovo Tab M11 แท็บเล็ตหน้าจอ 11 นิ้ว ใช้กับสไตลัส Lenovo Tab Pen เขียนลื่น
realme 12 5G และ realme 12X 5G กล้องซูม 3 เท่าไม่สูญเสียรายละเอียด รองรับ 5G เริ่มต้น 5,xxx