เปิดตัวหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติ BiCS FLASH เจเนอเรชันที่ 5

Kioxia ประกาศความสำเร็จในการพัฒนาหน่วยความจำแฟลชแบบสามมิติ BiCS FLASH เจเนอเรชันที่ห้า ที่มีโครงสร้างแนวตั้งซ้อนกัน 112 ชั้น โดยวางแผนเริ่มการจัดส่งอุปกรณ์ตัวอย่างที่มีขนาดความจุ 512 กิกะบิต (64 กิกะไบต์) และเทคโนโลยี 3-bit-per-cell (triple-level cell หรือ TLC) สำหรับการใช้งานกับอุปกรณ์บางชนิด

การเปิดตัวอุปกรณ์ชิ้นใหม่นี้มีเป้าหมายเพื่อตอบสนองความต้องการที่กำลังสูงขึ้นเรื่อย ๆ ของอุปกรณ์ประเภทต่าง ๆ รวมถึงอุปกรณ์มือถือแบบทั่วไป อุปกรณ์ SSD สำหรับลูกค้าทั่วไปและลูกค้าองค์กร อุปกรณ์ใหม่ ๆ ที่เกิดขึ้นจากการมาของเครือข่าย 5G ใหม่ ปัญญาประดิษฐ์ และยานยนต์ไร้คนขับ

บทความที่เกี่ยวข้อง

• 
  TCL NXTPAPER 3.0. ถนอมสายตามากขึ้น ไม่ลดทอนรายละเอียดของภาพ
• 
  ทำความรู้จัก OPPO Pad Neo แท็บเล็ตโทรได้ หน้าจอ 11.4 นิ้ว ลำโพง 4 ตัว ชิปเซ็ตเน้นเกม Helio G99

ติดตามข่าว สยามโฟน.คอม ที่