Samsung เริ่มผลิตชิปหน่วยความจำ DRAM ระดับ 10 นาโนเมตรเจเนอเรชั่นที่สองแล้ว

Samsung เริ่มเดินเครื่องผลิตชิปหน่วยความจำสำรอง 8Gb (กิกะบิต) DDR4 DRAM (Dynamic Random Access Memory) ระดับ 10 นาโนเมตรเจเนอเรชั่นที่สองสำหรับใช้งานบนอุปกรณ์คอมพิวเตอร์ สมาร์ทโฟนและอุปกรณ์สมาร์ทดีไวซ์อื่น ๆ ในอนาคต

DRAM รุ่นใหม่ของ Samsung จะมีความเร็วมากขึ้น 10% และมีประสิทธิภาพมากขึ้น 15% เทียบกับ DRAM รุ่นก่อนหน้า โดยสามารถทำงานได้ที่ความเร็ว 3,600 Mbps (เมกะบิตต่อวินาที) เทียบกับรุ่นก่อนที่ทำได้ 3,200Mbps

Gyoyoung Jin ประธานฝ่ายธุรกิจหน่วยความจำของ Samsung Electronics กล่าวว่า "ด้วยการพัฒนาเทคโนโลยีเชิงนวัตกรรมด้านการออกแบบและประมวลผลในวงจร DRAM เราได้ลบล้างสิ่งที่เป็นข้อจำกัดในการขยายขนาด DRAM"

"การพัฒนา DRAM ระดับ 10 นาโนเมตรในเจเนอเรชั่นที่สองเป็นไปอย่างรวดเร็ว เราจะขยายการผลิต DRAM ระดับ 10 นาโมเมตรให้มากขึ้นเพื่อรองรับความต้องการของตลาดและเพื่อรักษาความสามารถในการแข่งขันทางธุรกิจของเราต่อไป"